삼성전자, 1γ(1-감마) DRAM 공정 개발 성공... 전력 30% 감소·성능 20% 향상, 2027년 상반기 양산
원문: Samsung Announces Breakthrough in 1-Gamma DRAM Process, Targeting 30% Power Reduction
AI 심층 분석 리포트 — Truth of Market
기사 핵심 요약
- 1. 삼성전자가 차세대 1γ(1-감마) DRAM 공정 개발에 성공하며 2027년 상반기 양산을 공식 목표로 설정했습니다. 현행 1β(1-베타) 공정 대비 전력 소비 30% 감소, 성능(대역폭) 20% 향상, 면적 15% 축소를 달성했습니다.
- 2. 1γ 공정은 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 DRAM에 최초 적용하는 획기적인 기술 전환으로, 미세화 한계에 달한 핀펫(FinFET) 방식을 대체하여 10년 이상의 추가 성능 개선 여지를 열어줍니다.
- 3. AI 서버의 메모리 전력 소비는 전체 서버 전력의 30~40%를 차지하므로, 1γ DRAM 도입으로 하이퍼스케일러 데이터센터의 PUE(전력사용효율)가 의미 있게 개선되는 파급 효과가 기대됩니다.
투자자 관점 시사점
- GAA 기반 1γ DRAM 공정 선점은 삼성이 HBM 분야의 열세를 표준 DRAM 기술 리더십으로 만회하는 핵심 전략이며, 1γ 양산 성공 시 삼성의 DRAM 시장 점유율 회복(현재 38% → 42% 목표) 근거가 됩니다.
- DRAM 공정의 GAA 전환은 EUV 장비 사용 레이어 수를 더 늘려야 하므로 ASML의 추가 EUV 장비 발주를 수반하고, HAR(고종횡비) 식각 공정의 중요성이 높아져 램리서치의 특수 식각 장비 수요가 집중됩니다.
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